四探針電阻率儀 型號:KDY-1 庫號：D236901   四探針電阻率儀 型號:KDY-1  庫號：D236901 

（1）儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

（2）范：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，辨率為10-4歐姆·厘米

方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，小辨率為10-3歐姆/□

（3）可測量材料：半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等

可準確測量的半導體尺寸：直徑≥20㎜

可測量的半導體尺寸：直徑≥8㎜

（4）測量方式：平面測量。

（5）電壓表：雙數(shù)字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化

A.電流表量程0~199.99 mV，電壓表量程0~19.999 mV

B.電壓靈敏度：1μv和10μv

C.基本誤差±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)

D.輸入阻抗﹥1000MΩ

E. 4 1/2位數(shù)字顯示，0～19999

（6）恒流源：

A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給

B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔

C.恒流源：各檔均≤±0.05%

（7）四探針測試

測量電阻率的小游移探針頭,實用號ZL 03 2 74755.1。使用幾何尺寸十的紅寶石軸承，量具的硬質(zhì)合金探針，在寶石導孔內(nèi)運動，持久，高。

A.間距1.59㎜

B.探針機械游率：±0.3%

C.探針直徑0.8㎜

D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部之間的緣電阻大于109歐姆。

（8）手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可移動距離：120mm，測試臺面200x200(mm)。

（9）

電器：1-1000歐姆≤0.3 %

整機測量：1-500歐姆·厘米≤3%

（10）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W

四探針電阻率儀 型號:KD09-KDY-1四探針電阻率儀 型號:KD09-KDY-1

（1）儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

（2）范：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，辨率為10-4歐姆·厘米

方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，小辨率為10-3歐姆/□

（3）可測量材料：半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等

可準確測量的半導體尺寸：直徑≥20㎜

可測量的半導體尺寸：直徑≥8㎜

（4）測量方式：平面測量。

（5）電壓表：雙數(shù)字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化

A.電流表量程0~199.99 mV，電壓表量程0~19.999 mV

B.電壓靈敏度：1μv和10μv

C.基本誤差±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)

D.輸入阻抗﹥1000MΩ

E. 4 1/2位數(shù)字顯示，0～19999

（6）恒流源：

A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給

B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔

C.恒流源：各檔均≤±0.05%

（7）四探針測試

測量電阻率的小游移探針頭,實用號ZL 03 2 74755.1。使用幾何尺寸十的紅寶石軸承，量具的硬質(zhì)合金探針，在寶石導孔內(nèi)運動，持久，高。

A.間距1.59㎜

B.探針機械游率：±0.3%

C.探針直徑0.8㎜

D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部之間的緣電阻大于109歐姆。

（8）手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可移動距離：120mm，測試臺面200x200(mm)。

（9）

電器：1-1000歐姆≤0.3 %

整機測量：1-500歐姆·厘米≤3%

（10）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W