- 企業(yè)類型:制造商
- 新舊程度:全新
- 原產(chǎn)地:臺(tái)灣
- 可程序交流耐壓輸出: 0.1kVac~10kVac
- 高精度及高分辨率電流表:0.01μA~300μA
- 局部放電(PD)偵測(cè)范圍:1pC~2000pC
- 頻率范圍:50Hz 60Hz ± 0.1%
- 體積 (WxHxD): 428x176x500 mm
- 重量:20.5 kg

局部放電測(cè)試儀
PARTIAL DISCHARGE TESTER
MODEL 19501-K
基本介紹
Chroma 19501-K局部放電測(cè)試儀內(nèi)建交流耐電壓測(cè)試(Hipot Test)與局部放電(PartialDischarge, PD)偵測(cè)功能于一單機(jī),提供交流電壓輸出0.1k V~10k V,漏電流測(cè)量范圍0.01μA~300μA,局部放電偵測(cè)范圍1pC~2000pC,針對(duì)高壓半導(dǎo)體組件與高絕緣材料測(cè)試應(yīng)用所設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品設(shè)計(jì)符合IEC60270-1法規(guī),針對(duì)高電壓試驗(yàn)技術(shù)中對(duì)局部放電測(cè)試要求,采用窄頻濾波器 (Narrow-band) 量測(cè)技術(shù)進(jìn)行PD放電量測(cè)量,并將量測(cè)結(jié)果以直觀數(shù)值 (pC) 顯示在屏幕上讓用戶清楚明了待測(cè)物測(cè)試判定結(jié)果。產(chǎn)品設(shè)計(jì)上,除了符合IEC60270-1,同時(shí)也符合光耦合器IEC60747-5-5與VDE0884法規(guī)要求,內(nèi)建IEC60747-5-5法規(guī)之測(cè)試方法于儀器內(nèi)部,滿足光耦合器產(chǎn)品生產(chǎn)測(cè)試需求,并提供使用者便利的操作接口。應(yīng)用于電源系統(tǒng)之安規(guī)組件,如光耦合器,因考量如果組件長(zhǎng)時(shí)間發(fā)生局部放電對(duì)于絕緣材料的破壞,而發(fā)生絕緣失效的情況,進(jìn)而引發(fā)使用者人身安全問(wèn)題;因此,在IEC60747-5-5法規(guī)中提及,于生產(chǎn)過(guò)程中 (Routine test) 必須100%執(zhí)行局部放電 (Partial discharge) 檢測(cè),在絕緣電壓條件下不能超過(guò)5pC放電量,確保產(chǎn)品在正常工作環(huán)境中不會(huì)發(fā)生局部放電現(xiàn)象。
量測(cè)技術(shù)
局部放電測(cè)試儀對(duì)待測(cè)物施加一個(gè)特定條件下的電壓,測(cè)量其視在放電電荷量(PD),除了驗(yàn)證其能否承受瞬間高電壓(Hipot Test)的能力,同時(shí)也驗(yàn)證在額定工作電壓的絕緣完整性。局部放電測(cè)試能夠偵測(cè)待測(cè)物是否存在異常氣隙,透過(guò)施加一個(gè)略高于組件額定工作電壓的局部放電電荷測(cè)試,用以檢驗(yàn)電氣組件在正常工作電壓條件下之長(zhǎng)久可靠性,但于實(shí)際生產(chǎn)上絕緣材料內(nèi)部當(dāng)然不可能百分之百無(wú)氣隙存在于絕緣材料內(nèi),故在IEC60747-5-5光耦合器法規(guī)針對(duì)局部放電測(cè)試定義其放電電荷量不能大于5pC (q pd =5pC)。局部放電測(cè)試設(shè)備用于測(cè)量與判定微小放電量,其訊號(hào)非常微小且快速,因此局部放電量測(cè)設(shè)備于出廠前必須透過(guò)精密的校正才能確保放電發(fā)生時(shí),其高頻訊號(hào)能夠被精準(zhǔn)的測(cè)量,在高壓試驗(yàn)技術(shù)法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)IEC60270-1章節(jié)中對(duì)于局部放電的校正標(biāo)準(zhǔn)與方法在法規(guī)條文中有明確指示跟說(shuō)明,Chroma 19501-K 局部放電儀亦依據(jù)法規(guī)要求進(jìn)行設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)。校正器上所使用的標(biāo)準(zhǔn)電容Co通常為一個(gè)低壓電容器,因此執(zhí)行PD校正時(shí)局部放電測(cè)試器設(shè)備是在不帶電的狀態(tài)下進(jìn)行校正,也就是只針對(duì)PD量測(cè)回路執(zhí)行校正,在法規(guī)內(nèi)文中也有說(shuō)明,為了使校正有效,用于校正器上的標(biāo)準(zhǔn)電容Co必須小于0.1 Ca,則校正器上的脈沖等效放電量q o =V o C o 單次放電脈沖。
光耦合器法規(guī)應(yīng)用
在IEC60747-5-5 法規(guī)中,對(duì)于光耦合器相關(guān)之電氣安全要求、安全試驗(yàn)及測(cè)試方法等項(xiàng)目已清楚定義,提供給光耦合器組件一個(gè)安全應(yīng)用的指導(dǎo)性準(zhǔn)則。Chroma19501-K局部放電測(cè)試儀符合法規(guī)對(duì)于電氣安全測(cè)試要求及測(cè)試方法,法規(guī)中針對(duì)光耦合器在生產(chǎn)過(guò)程中定義為必須100%執(zhí)行局部放電測(cè)試 (Partial Discharge Test),且明訂局部放電測(cè)試電壓要求提供給生產(chǎn)業(yè)者參考準(zhǔn)則,局部放電測(cè)試電壓于生產(chǎn)測(cè)試時(shí),定義以1.875倍常數(shù)乘上標(biāo)稱之絕緣工作電壓或重復(fù)發(fā)生絕緣峰值電壓 (取電壓值高者),做為局部放電測(cè)試電壓,其電壓計(jì)算公式參考如下 :







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